DMN4010LFG-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerDI3333-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

11.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

12 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

17 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.45 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMN40

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

MOSFET

Unità di peso:

0.002540 oz

Tags

DMN4010LF, DMN4010, DMN401, DMN40, DMN4, DMN