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RN1101MFV(TPL3)

RN1101MFV(TPL3)
Mfr. #:
RN1101MFV(TPL3)
Produttore:
Toshiba
Descrizione:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
RN1101MFV(TPL3) Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Toshiba
Categoria di prodotto:
Transistor bipolari - Pre-polarizzati
RoHS:
Y
Configurazione:
Separare
Polarità del transistor:
NPN
Resistenza di ingresso tipica:
4.7 kOhms
Rapporto resistore tipico:
1
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Guadagno base/collettore DC hfe min:
30
Tensione collettore-emettitore VCEO Max:
50 V
Corrente continua del collettore:
100 mA
Corrente di picco del collettore CC:
100 mA
Pd - Dissipazione di potenza:
150 mW
Temperatura massima di esercizio:
+ 150 C
Serie:
RN1101
Confezione:
Bobina
Guadagno di corrente CC hFE Max:
30
Marca:
Toshiba
Tipologia di prodotto:
BJT - Transistor bipolari - Prepolarizzati
Quantità confezione di fabbrica:
8000
sottocategoria:
transistor
Tags
RN1101M, RN1101, RN110, RN11, RN1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VESM T/R
***i-Key
TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
RN1101MFV(TPL3)
DISTI # RN1101MFV(TPL3)		Toshiba America Electronic ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VESM T/R - Tape and Reel (Alt: RN1101MFV(TPL3))
RoHS: Compliant
Min Qty: 8000
Container: Reel		Americas - 0
    RN1101MFV(TPL3)
    DISTI # 757-RN1101MFV(TPL3)    		Toshiba America Electronic ComponentsBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
    RoHS: Compliant    		0
    • 8000:$0.0360
    • 24000:$0.0340
    • 48000:$0.0320
    • 96000:$0.0280
    RN1101MFV(TPL3)
    DISTI # 580048    		Toshiba America Electronic ComponentsTR.+VIASRES. NPN VCEO=50V IC=150MA VESM, PK150
    • 50:£0.0540
    • 200:£0.0320
    • 500:£0.0290
    • 1000:£0.0280
    • 2000:£0.0280
    RN1101MFV(TPL3)Toshiba America Electronic Components 29
    • 14:$0.3200
    • 1:$0.4000
    Immagine Parte # Descrizione
    RN1101MFV,L3F

    Mfr.#: RN1101MFV,L3F

    OMO.#: OMO-RN1101MFV-L3F

    		 Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
    RN1101MFV(TPL3)

    Mfr.#: RN1101MFV(TPL3)

    OMO.#: OMO-RN1101MFV-TPL3-

    		 Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
    RN1101MFV(TPL3)

    Mfr.#: RN1101MFV(TPL3)

    OMO.#: OMO-RN1101MFV-TPL3--123

    		 Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
    RN1101MFVL3XGF

    Mfr.#: RN1101MFVL3XGF

    OMO.#: OMO-RN1101MFVL3XGF-1190

    		 Nuovo e originale
    RN1101MFVL3FCT-ND

    Mfr.#: RN1101MFVL3FCT-ND

    OMO.#: OMO-RN1101MFVL3FCT-ND-1190

    		 Nuovo e originale
    RN1101MFVL3FDKR-ND

    Mfr.#: RN1101MFVL3FDKR-ND

    OMO.#: OMO-RN1101MFVL3FDKR-ND-1190

    		 Nuovo e originale
    RN1101MFVL3FTR-ND

    Mfr.#: RN1101MFVL3FTR-ND

    OMO.#: OMO-RN1101MFVL3FTR-ND-1190

    		 Nuovo e originale
    RN1101MFV

    Mfr.#: RN1101MFV

    OMO.#: OMO-RN1101MFV-1190

    		 Nuovo e originale
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