RN1101MFV,L3F

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - Pre-polarizzati

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

NPN

Resistenza di ingresso tipica:

4.7 kOhms

Rapporto resistore tipico:

1

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

VESM-3

Guadagno base/collettore DC hfe min:

30

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Corrente continua del collettore:

100 mA

Pd - Dissipazione di potenza:

150 mW

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

RN1101

Confezione:

Bobina

Collettore-tensione di base VCBO:

50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

10 V

Altezza:

0.5 mm

Lunghezza:

1.2 mm

Intervallo operativo di temperatura:

- 55 C to + 150 C

Tipo:

Transistor epitassiale al silicio NPN

Larghezza:

0.8 mm

Marca:

Toshiba

Numero di canali:

1 Channel

Modalità canale:

Aumento

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari - Prepolarizzati

Quantità confezione di fabbrica:

8000

sottocategoria:

transistor

Tags

RN1101M, RN1101, RN110, RN11, RN1