FS45MR12W1M1B11BOMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

RoHS:

Y

Prodotto:

Moduli MOSFET di potenza

Tipo:

Modulo EasyPACK

Vf - Tensione diretta:

4.6 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 10 V, 20 V

Stile di montaggio:

Montaggio a vite

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Vassoio

Configurazione:

Esadecimale

Marca:

Tecnologie Infineon

Polarità del transistor:

Canale N

Tempo di caduta:

16.4 ns

Id - Corrente di scarico continua:

25 A

Pd - Dissipazione di potenza:

20 mW

Tipologia di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

Rds On - Resistenza Drain-Source:

45 mOhms

Ora di alzarsi:

6.3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

24

sottocategoria:

Moduli a semiconduttore discreti

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

35.2 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8.2 ns

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1200 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.45 V

Parte # Alias:

SP001686600

Tags

FS45, FS4