FF8MR12W2M1B11BOMA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

RoHS:

Y

Prodotto:

Moduli MOSFET di potenza

Tipo:

Modulo EasyDUAL

Vf - Tensione diretta:

4.6 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 10 V, 20 V

Stile di montaggio:

Montaggio a vite

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Vassoio

Configurazione:

Dual

Marca:

Tecnologie Infineon

Polarità del transistor:

Canale N

Tempo di caduta:

28 ns

Id - Corrente di scarico continua:

150 A

Pd - Dissipazione di potenza:

20 mW

Tipologia di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

Rds On - Resistenza Drain-Source:

7.5 mOhms

Ora di alzarsi:

16.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

15

sottocategoria:

Moduli a semiconduttore discreti

Nome depositato:

EasyDUAL; CoolSiC

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

57 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

21.5 ns

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1200 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3.45 V

Parte # Alias:

FF8MR12W2M1_B11 SP001617622

Tags

FF8