IRF3007STRLPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

75 V

Id - Corrente di scarico continua:

62 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

10.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

130 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

120 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

4.4 mm

Lunghezza:

10 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

9.25 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconduttanza diretta - Min:

180 S

Tempo di caduta:

49 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

80 ns

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

55 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12 ns

Parte # Alias:

SP001563186

Unità di peso:

0.077603 oz

Tags

IRF3007S, IRF3007, IRF300, IRF30, IRF3, IRF