PSMN5R5-60YS,115

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

LFPAK56-5

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

100 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

8.3 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4.6 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

56 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

130 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

5 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

N-Channel LFPAK 60 V 5.2 mOhms Standard Level FET

Larghezza:

4.1 mm

Marca:

Nexperia

Tempo di caduta:

14 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

24 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

44 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

23 ns

Tags

PSMN5R5, PSMN5, PSMN, PSM