UT6J3TCR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

HUML2020L-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

60 mOhms, 60 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

8.5 nC, 8.5 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

2 P-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

4 S, 4 S

Tempo di caduta:

35 ns, 35 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

30 ns, 30 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

120 ns, 120 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns, 10 ns

Parte # Alias:

UT6J3

Tags

UT6J3, UT6J, UT6