UT6JA2TCR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

HUML2020L-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

55 mOhms, 55 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

6.7 nC, 6.7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

2 P-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

2.5 S, 2.5 S

Tempo di caduta:

13 ns, 13 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

9.1 ns, 9.1 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

26 ns, 26 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.4 ns, 7.4 ns

Parte # Alias:

UT6JA2

Tags

UT6JA, UT6J, UT6