SQJ504EP-T1_GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerPAK-SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

30 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

7.5 mOhms, 17 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.5 V, 2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

30 nC, 85 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

34 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

35 S, 30 S

Tempo di caduta:

5 ns, 7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

4 ns, 6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

21 ns, 45 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

11 ns, 15 ns

Tags

SQJ50, SQJ5, SQJ