2N6439

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore avanzato, Inc.

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari RF

RoHS:

Y

Tipo di transistor:

Potenza bipolare

Tecnologia:

si

Polarità del transistor:

NPN

Guadagno base/collettore DC hfe min:

10

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

33 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

4 V

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Stile di montaggio:

Montaggio a vite

Pacchetto/custodia:

316-01

Confezione:

Vassoio

Frequenza operativa:

400 MHz

Tipo:

Potenza bipolare RF

Marca:

Semiconduttore avanzato, Inc.

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

400 MHz

Pd - Dissipazione di potenza:

146 W

Tipologia di prodotto:

Transistor bipolari RF

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

transistor

Tags

2N643, 2N64, 2N6