2N6295 PBFREE

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor Darlington

RoHS:

Y

Configurazione:

Separare

Polarità del transistor:

NPN

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Collettore-tensione di base VCBO:

80 V

Pd - Dissipazione di potenza:

50 W

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-66-2

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Serie:

2N62

Confezione:

Tubo

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

4 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

300 at 1.5 A, 3 V

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

4 GHz

Tipologia di prodotto:

Transistor Darlington

Quantità confezione di fabbrica:

30

sottocategoria:

transistor

Tags

2N629, 2N62, 2N6