IRF9383MTR1PBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DirectFET-MX

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

160 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.8 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.4 V

Qg - Carica cancello:

67 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

113 W

Configurazione:

Dual

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.7 mm

Lunghezza:

6.35 mm

Tipo di transistor:

2 P-Channel

Larghezza:

5.05 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconduttanza diretta - Min:

56 S

Tempo di caduta:

110 ns

Sensibile all'umidità:

sì

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

160 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

115 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

29 ns

Parte # Alias:

SP001572454

Tags

IRF9383, IRF938, IRF93, IRF9, IRF