APT13005DI-G1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-251-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

450 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

9 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

900 mV

Corrente massima del collettore CC:

8 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

4 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

APT13005

Guadagno di corrente CC hFE Max:

35 at 2 A, 5 V

Confezione:

Massa

Marca:

Diodi incorporati

Guadagno base/collettore DC hfe min:

8 at 2 A, 5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

25 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3600

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.012102 oz

Tags

APT13005D, APT13005, APT130, APT13, APT1, APT