NTJD4158CT2G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V, 20 V

Id - Corrente di scarico continua:

250 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

215 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V, 12 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

270 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.9 mm

Lunghezza:

2 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Tipo:

Piccolo segnale

Larghezza:

1.25 mm

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

0.08 S / 3 S

Tempo di caduta:

66 ns, 6.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

66 ns, 6.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

56 ns, 13.5 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

15 ns, 5.8 ns

Unità di peso:

0.000265 oz

Tags

NTJD4158, NTJD415, NTJD41, NTJD4, NTJD, NTJ