NTJD4152PT2G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

880 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

450 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

1.8 V

Qg - Carica cancello:

2.2 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

350 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

2 P-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

3 S

Tempo di caduta:

3.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

6.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

13.5 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.8 ns

Unità di peso:

0.000265 oz

Tags

NTJD4152PT, NTJD4152, NTJD415, NTJD41, NTJD4, NTJD, NTJ