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GA04JT17-247

GA04JT17-247
Mfr. #:
GA04JT17-247
Produttore:
GeneSiC Semiconductor
Descrizione:
MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 500mO-4A
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
GA04JT17-247 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Semiconduttore GeneSiC
Categoria di prodotto:
MOSFET
RoHS:
Y
Tecnologia:
SiC
Stile di montaggio:
Foro passante
Pacchetto/custodia:
TO-247-3
Numero di canali:
1 Channel
Polarità del transistor:
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
1.7 kV
Id - Corrente di scarico continua:
4 A
Rds On - Resistenza Drain-Source:
480 mOhms
Temperatura di esercizio minima:
- 55 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:
91 W
Configurazione:
Separare
Confezione:
Tubo
Serie:
GA04
Tipo di transistor:
1 N-Channel
Marca:
Semiconduttore GeneSiC
Tempo di caduta:
50 ns
Tipologia di prodotto:
MOSFET
Ora di alzarsi:
28 ns
Quantità confezione di fabbrica:
30
sottocategoria:
MOSFET
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:
73 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico:
30 ns
Unità di peso:
0.225401 oz
Tags
GA04, GA0
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans JFET N-CH 1700V 4A SiC Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247AB
***p One Stop Global
Trans JFET N-CH 1700V 4A SiC 3-Pin(3+Tab) TO-247AB
***i-Key
TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB
***nell
SIC SUPER JUNCTION TRANSISTOR, TO-247AB; Breakdown Voltage Vbr:-; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:0.2 A; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:10 A; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-; Transistor Type:JFET; MSL:-
***ark
SIC SUPER JUNCTION TRANSISTOR, TO-247AB; Breakdown Voltage Vbr:-; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:0.2�A; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:10�A; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-; Transistor Type:JFET; MSL:- RoHS Compliant: Yes
***ment14 APAC
Prices include import duty and tax. SIC SUPER JUNCTION TRANSISTOR, TO-247AB; Breakdown Voltage Vbr:-; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:0.2 A; Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:10 A; Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-; Transistor Type:JFET; MSL:-
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
GA04JT17-247
DISTI # 19515598		GeneSic Semiconductor IncTrans JFET N-CH 1700V 4A SiC 3-Pin(3+Tab) TO-247AB
RoHS: Compliant		104
  • 3:$21.9500
GA04JT17-247
DISTI # 1242-1134-ND		GeneSic Semiconductor IncTRANS SJT 1700V 4A TO-247AB
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		28In Stock
  • 120:$26.7364
  • 30:$28.7670
  • 10:$31.3050
  • 1:$33.8400
GA04JT17-247
DISTI # 46W2772		GeneSic Semiconductor IncSIC SUPER JUNCTION TRANSISTOR, TO-247AB,Breakdown Voltage Vbr:-,Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min:0.2µA,Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max:10µA,Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-,Transistor Type:JFET,MSL:- RoHS Compliant: Yes104
  • 1:$17.5600
GA04JT17-247
DISTI # 905-GA04JT17-247		GeneSic Semiconductor IncMOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 500mO-4A
RoHS: Compliant		0
  • 630:$23.9900
GA04JT17-247
DISTI # 2280263		GeneSic Semiconductor IncSIC SUPER JUNCTION TRANSITOR, TO-247AB
RoHS: Compliant		104
  • 1:£19.5300
GA04JT17-247
DISTI # 2280263		GeneSic Semiconductor IncSIC SUPER JUNCTION TRANSISTOR, TO-247AB
RoHS: Compliant		104
  • 1:$53.9400
  • 10:$49.9000
  • 30:$45.8600
  • 120:$42.6200
Immagine Parte # Descrizione
GA04JT17-247

Mfr.#: GA04JT17-247

OMO.#: OMO-GA04JT17-247

 MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 500mO-4A
GA04JT17-247

Mfr.#: GA04JT17-247

OMO.#: OMO-GA04JT17-247-GENESIC-SEMICONDUCTOR

 IGBT Transistors MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 500mO-4A
Disponibilità
Azione:
Available
Su ordine:
5500
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Il prezzo attuale di GA04JT17-247 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
630
23,99 USD
15 113,70 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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