ZXTP25012EFHTA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

12 V

Collettore-tensione di base VCBO:

12 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7 V

Corrente massima del collettore CC:

4 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

310 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

ZXTP250

Guadagno di corrente CC hFE Max:

500 at 10 mA, 2 V

Altezza:

1.02 mm

Lunghezza:

3.04 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.4 mm

Marca:

Diodi incorporati

Guadagno base/collettore DC hfe min:

500 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 50 at 4 A, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

1810 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000282 oz

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