ZXMC3A18DN8TA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

7.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

25 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.1 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.5 mm

Lunghezza:

5 mm

Serie:

ZXMC3A

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Larghezza:

4 mm

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

8.5 ns, 38 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8.7 ns, 9.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

33 ns, 60 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.5 ns, 4.8 ns

Unità di peso:

0.002610 oz

Tags

ZXMC3A18, ZXMC3A1, ZXMC3A, ZXMC3, ZXMC, ZXM