DRDN010W-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

18 V

Collettore-tensione di base VCBO:

45 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Corrente massima del collettore CC:

1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

DRDN010

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

2.2 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.35 mm

Marca:

Diodi incorporati

Guadagno base/collettore DC hfe min:

150

Pd - Dissipazione di potenza:

200 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000212 oz

Tags

DRDN0, DRDN, DRD