DMN2005LP4K-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

X2-DFN1006-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

300 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

650 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

530 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

-

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

400 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.35 mm

Lunghezza:

1 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

DMN2005

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

0.6 mm

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

40 mS

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

13.7 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.06 ns

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DMN2005L, DMN2005, DMN200, DMN20, DMN2, DMN