IRFH5215TR2PBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PQFN-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

150 V

Id - Corrente di scarico continua:

5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

58 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

20 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

3.6 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.83 mm

Lunghezza:

6 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

5 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconduttanza diretta - Min:

21 S

Tempo di caduta:

2.9 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

6.3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

400

sottocategoria:

MOSFET

Parte # Alias:

SP001565794

Unità di peso:

0.017637 oz

Tags

IRFH521, IRFH52, IRFH5, IRFH, IRF