IRF7807VD1PBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

8.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

25 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

9.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

1.75 mm

Lunghezza:

4.9 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET FETKY e Diodo Schottky

Larghezza:

3.9 mm

Marca:

Infineon / IR

Tempo di caduta:

2.2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

1.2 ns

Quantità confezione di fabbrica:

95

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

11 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6.3 ns

Parte # Alias:

SP001551528

Unità di peso:

0.019048 oz

Tags

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