IPI020N06NAKSA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-262-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

120 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.8 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

106 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

214 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

OptiMOS

Confezione:

Tubo

Altezza:

9.45 mm

Lunghezza:

10.2 mm

Prodotto:

Potenza OptiMOS

Serie:

OptiMOS 5

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

OptiMOS 3 Power-Transistor

Larghezza:

4.5 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

210 S

Tempo di caduta:

19 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

45 ns

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

51 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

24 ns

Parte # Alias:

IPI020N06N IPI2N6NXK SP000962132

Unità di peso:

0.084199 oz

Tags

IPI020, IPI02, IPI0, IPI