EFC6612R-TF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

CSP-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4.2 mOhms, 4.2 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

500 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

27 nC, 27 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

EFC6612R

Tipo di transistor:

2 N-channel

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

4.7 S, 4.7 S

Tempo di caduta:

92 us, 92 us

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

640 ns, 640 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

11.8 us, 11.8 us

Tempo di ritardo di accensione tipico:

30 ns, 30 ns

Tags

EFC6612, EFC661, EFC6, EFC