EFC3J018NUZTDG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

WLCSP-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

23 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

4.7 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

500 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

75 nC

Temperatura di esercizio minima:

-

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

esaurimento

Confezione:

Bobina

Serie:

EFC3J018NUZ

Tipo di transistor:

Doppio canale N

Marca:

ON Semiconductor

Tempo di caduta:

2800 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

890 ns

Quantità confezione di fabbrica:

5000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

4100 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

280 ns

Tags

EFC3, EFC