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QPD1010

QPD1010
Mfr. #:
QPD1010
Produttore:
Qorvo
Descrizione:
RF JFET Transistors DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
QPD1010 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
QPD1010 maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Qorvo
Categoria di prodotto:
Transistor RF JFET
RoHS:
Y
Tipo di transistor:
HEMT
Tecnologia:
GaN SiC
Guadagno:
24.7 dB
Polarità del transistor:
Canale N
Vds - Tensione di rottura Drain-Source:
50 V
Vgs - Tensione di rottura gate-source:
145 V
Id - Corrente di scarico continua:
400 mA
Potenza di uscita:
11 W
Temperatura di esercizio minima:
- 40 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 85 C
Pd - Dissipazione di potenza:
13.5 W
Stile di montaggio:
SMD/SMT
Pacchetto/custodia:
QFN-16
Confezione:
Cialda
Configurazione:
Separare
Frequenza operativa:
4 GHz
Intervallo operativo di temperatura:
- 40 C to + 85 C
Serie:
QPD
Marca:
Qorvo
Kit di sviluppo:
QPD1010-EVB1
Sensibile all'umidità:
sì
Tipologia di prodotto:
Transistor RF JFET
Quantità confezione di fabbrica:
50
sottocategoria:
transistor
Vgs th - Tensione di soglia gate-source:
- 2.8 V
Parte # Alias:
1132873
Unità di peso:
0.081130 oz
Tags
QPD101, QPD10, QPD1, QPD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***W
RF Power Transistor, DC - 4.0 GHz, 10 W, 50 V, 3 x 3 mm, GaN
QPD1009 & QPD1010 GaN RF Transistors
Qorvo QPD1009 & QPD1010 GaN RF Transistors are discrete GaN on SiC HEMTs which operate from DC to 4GHz and constructed with Qorvo's proven QGaN25HV process. This process features advanced field plate techniques to optimize power and efficiency at high drain bias operating conditions. This optimization potentially lowers system cost in terms of fewer amplifier line-ups and lower thermal management costs.
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
GaN Transistor Solutions for Sub 6GHz 5G
Qorvo GaN Transistor Solutions for Sub 6GHz 5G are a broad portfolio of gallium nitride (GaN) discrete transistor products. The devices have varying levels of power, voltage, and frequency ratings in die-level and packaged solutions. These products provide high GaN performance plus the convenience of industry-standard packaging. This speeds design, manufacturing, and is backed by industry-leading reliability.
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
QPD1010
DISTI # 772-QPD1010		QorvoRF JFET Transistors DC-4GHz 10W 28-50V SSG 25dB PAE 70% GaN
RoHS: Compliant		40
  • 1:$20.5500
  • 25:$17.7700
  • 100:$15.3700
  • 250:$14.3000
  • 500:$13.3000
QPD1010-EVB1
DISTI # 772-QPD1010-EVB1		QorvoRF Development Tools DC-4GHz 10W 28-50V Eval Board
RoHS: Compliant		3
  • 1:$875.0000
Immagine Parte # Descrizione
SX1262IMLTRT

Mfr.#: SX1262IMLTRT

OMO.#: OMO-SX1262IMLTRT

 RF Transceiver LoRa, sub-GHz RF Transceiver 22dBm PA
OPA1678IDGKR

Mfr.#: OPA1678IDGKR

OMO.#: OMO-OPA1678IDGKR

 Operational Amplifiers - Op Amps DUAL AUDIO OPAMP
NSVJ5908DSG5T1G

Mfr.#: NSVJ5908DSG5T1G

OMO.#: OMO-NSVJ5908DSG5T1G

 JFET NCH+NCH J-FET
PIC18F47K42-I/PT

Mfr.#: PIC18F47K42-I/PT

OMO.#: OMO-PIC18F47K42-I-PT

 8-bit Microcontrollers - MCU 128KB Flash, 8KB RAM, 1KB EEPROM, 12-bit ADC2, Vector Interrupts, DMA, MAP, DIA, DAC, Comp, PWM, CWG, HLT, WWDT, SCAN/CRC, ZCD, PPS, UART, SPI/I2C, IDLE/DOZE/PMD
LT3094EMSE#PBF

Mfr.#: LT3094EMSE#PBF

OMO.#: OMO-LT3094EMSE-PBF

 LDO Voltage Regulators -20V, 500mA Ultralow Noise/PSRR LDO
TLV70215QDSERQ1

Mfr.#: TLV70215QDSERQ1

OMO.#: OMO-TLV70215QDSERQ1

 LDO Voltage Regulators LDO
LDLN025PU12R

Mfr.#: LDLN025PU12R

OMO.#: OMO-LDLN025PU12R

 LDO Voltage Regulators POWER MANAGEMENT
TLV70218QDSERQ1

Mfr.#: TLV70218QDSERQ1

OMO.#: OMO-TLV70218QDSERQ1

 LDO Voltage Regulators LDO
AWR1642BOOST-ODS

Mfr.#: AWR1642BOOST-ODS

OMO.#: OMO-AWR1642BOOST-ODS

 RF Development Tools OBSTACLE DETECTION SENSOR USING 1642
QPD1010-EVB1

Mfr.#: QPD1010-EVB1

OMO.#: OMO-QPD1010-EVB1-1152

 RF Development Tools DC-4GHz 10W 28-50V Eval Board
Disponibilità
Azione:
25
Su ordine:
2008
Inserisci la quantità:
Il prezzo attuale di QPD1010 è solo di riferimento, se si desidera ottenere il prezzo migliore, inviare una richiesta o inviare un'e-mail diretta al nostro team di vendita [email protected]
Prezzo di riferimento (USD)
Quantità
Prezzo unitario
est. Prezzo
1
20,55 USD
20,55 USD
25
17,77 USD
444,25 USD
100
15,37 USD
1 537,00 USD
250
14,30 USD
3 575,00 USD
500
13,30 USD
6 650,00 USD
A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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