NSS30201MR6T1G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSOP-6

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

30 V

Collettore-tensione di base VCBO:

50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.06 V

Corrente massima del collettore CC:

2 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

300 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

NSS30201MR6T1G

Altezza:

0.94 mm

Lunghezza:

3 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.5 mm

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

2 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

300

Pd - Dissipazione di potenza:

535 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000705 oz

Tags

NSS302, NSS30, NSS3, NSS