DMN3030LFG-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerDI3333-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

5.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

10 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

800 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

25 V

Qg - Carica cancello:

17.4 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

900 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMN3030

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

6.3 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

6.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

19 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

2.5 ns

Unità di peso:

0.002540 oz

Tags

DMN3030LF, DMN3030, DMN303, DMN30, DMN3, DMN