IRFH5106TRPBF

IRFH5106TRPBF
Mfr. #:
IRFH5106TRPBF
Produttore:
Infineon Technologies
Descrizione:
IGBT Transistors MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 5.6mOhms 50nC
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
IRFH5106TRPBF Scheda dati
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DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
IR
categoria di prodotto
FET - Single
Confezione
Bobina
Stile di montaggio
SMD/SMT
Pacchetto-Custodia
PQFN-8
Tecnologia
si
Numero di canali
1 Channel
Configurazione
Singola Quad Scarico Tripla Sorgente
Tipo a transistor
1 N-Channel
Pd-Power-Dissipazione
114 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 55 C
Tempo di caduta
9.5 ns
Ora di alzarsi
13 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
20 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
100 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
60 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
5.6 mOhms
Polarità del transistor
Canale N
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
23 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
8.1 ns
Qg-Gate-Carica
50 nC
Modalità canale
Aumento
Tags
IRFH5106, IRFH510, IRFH51, IRFH5, IRFH, IRF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***ernational Rectifier
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 60V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
***ied Electronics & Automation
MOSFET 60V, Gen 10.7, 4.98 mOhm max, 56.2 nC Qg
***nell
MOSFET, N-CH, 60V, 100A, PQFN-8
***i-Key
MOSFET N-CH 60V 21A 8-PQFN
***ronik
N-CH 60V 100A 5,6mOhm PQFN5X6 RoHSconf
***trelec
Power FET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: PQFN-8 (3x3) Polarity: N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 114 W
***ineon
Benefits: RoHS Compliant | Target Applications: Battery Operated Drive; Isolated Primary Side MOSFETs; Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs
***ark
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0046ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2V ;RoHS Compliant: Yes
***ment14 APAC
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0047ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; Power Dissipation Pd:3.6W
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
IRFH5106TRPBF
DISTI # IRFH5106TRPBF-ND
Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 60V 21A 8-PQFN
RoHS: Compliant
Min Qty: 4000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    IRFH5106TRPBF
    DISTI # 70019270
    Infineon Technologies AGMOSFET 60V,Gen 10.7,4.98 mOhm max,56.2 nC Qg
    RoHS: Compliant
    0
    • 4000:$2.0500
    • 8000:$2.0090
    • 20000:$1.9480
    • 40000:$1.8660
    • 100000:$1.7430
    IRFH5106TRPBF
    DISTI # 942-IRFH5106TRPBF
    Infineon Technologies AGMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 5.6mOhms 50nC
    RoHS: Compliant
    0
      IRFH5106TRPBFInternational Rectifier 3200
      • 939:$1.9376
      • 419:$2.1313
      • 1:$3.8751
      Immagine Parte # Descrizione
      IRFH5110TRPBF

      Mfr.#: IRFH5110TRPBF

      OMO.#: OMO-IRFH5110TRPBF

      MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 12.4mOhms 48nC
      IRFH5106TRPBF

      Mfr.#: IRFH5106TRPBF

      OMO.#: OMO-IRFH5106TRPBF

      MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 5.6mOhms 50nC
      IRFH5106TRPBF.

      Mfr.#: IRFH5106TRPBF.

      OMO.#: OMO-IRFH5106TRPBF--1190

      Nuovo e originale
      IRFH5106TR2PBF

      Mfr.#: IRFH5106TR2PBF

      OMO.#: OMO-IRFH5106TR2PBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

      MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
      IRFH5110TRPBF.

      Mfr.#: IRFH5110TRPBF.

      OMO.#: OMO-IRFH5110TRPBF--1190

      Nuovo e originale
      IRFH5110TR2PBF

      Mfr.#: IRFH5110TR2PBF

      OMO.#: OMO-IRFH5110TR2PBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

      MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN
      IRFH5106TRPBF

      Mfr.#: IRFH5106TRPBF

      OMO.#: OMO-IRFH5106TRPBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

      IGBT Transistors MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 5.6mOhms 50nC
      IRFH5104TR2PBF

      Mfr.#: IRFH5104TR2PBF

      OMO.#: OMO-IRFH5104TR2PBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

      IGBT Transistors MOSFET MOSFT 40V 100A 3.5mOhm 53nC Qg
      IRFH5104TRPBF

      Mfr.#: IRFH5104TRPBF

      OMO.#: OMO-IRFH5104TRPBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

      RF Bipolar Transistors MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 53nC
      IRFH5110TRPBF

      Mfr.#: IRFH5110TRPBF

      OMO.#: OMO-IRFH5110TRPBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

      RF Bipolar Transistors MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 12.4mOhms 48nC
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      Available
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      4500
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      Prezzo di riferimento (USD)
      Quantità
      Prezzo unitario
      est. Prezzo
      1
      2,61 USD
      2,61 USD
      10
      2,48 USD
      24,84 USD
      100
      2,35 USD
      235,31 USD
      500
      2,22 USD
      1 111,15 USD
      1000
      2,09 USD
      2 091,60 USD
      A causa della scarsità di semiconduttori dal 2021, il prezzo inferiore è il prezzo normale prima del 2021. Si prega di inviare informazioni per confermare.
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