IRFH5110TRPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PQFN-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

63 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

12.4 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

48 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

114 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.83 mm

Lunghezza:

6 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

5 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tempo di caduta:

6.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

9.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

22 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

7.8 ns

Parte # Alias:

SP001560340

Tags

IRFH511, IRFH51, IRFH5, IRFH, IRF