SIZ322DT-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PowerPAIR-3x3-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

25 V

Id - Corrente di scarico continua:

30 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

5.29 mOhms, 5.29 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 12 V, 16 V

Qg - Carica cancello:

20.1 nC, 20.1 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

16.7 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET, PowerPAIR

Confezione:

Bobina

Serie:

TAGLIA

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

57 S

Tempo di caduta:

15 ns, 15 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

25 ns, 25 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

15 ns, 15 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

10 ns, 10 ns

Tags

SiZ32, SiZ3, SiZ