IRFH7911TRPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PQFN-18

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

13 A, 28 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

8.6 mOhms, 3 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.35 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

8.3 nC, 34 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.4 W, 3.4 W

Configurazione:

Dual

Nome depositato:

StrongIRFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

6 mm

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

5 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconduttanza diretta - Min:

17 S, 106 S

Tempo di caduta:

5.9 ns, 14 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

15 ns, 35 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

12 ns, 28 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12 ns, 22 ns

Parte # Alias:

SP001577920

Tags

IRFH791, IRFH79, IRFH7, IRFH, IRF