DMN1003UCA6-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

X3-DSN3518-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

12 V

Id - Corrente di scarico continua:

23.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.3 mOhms, 2.3 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

500 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

56.5 nC, 56.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.67 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

6208 ns, 6208 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

1694 ns, 1694 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

47479 ns, 4747 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

603 ns, 603 ns

Tags

DMN100, DMN10, DMN1, DMN