DMN1008UFDF-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

U-DFN2020-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

12 V

Id - Corrente di scarico continua:

12.2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

6.6 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

300 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

13.6 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.7 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

7.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

6.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

17.5 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.5 ns

Tags

DMN100, DMN10, DMN1, DMN