SIHFR1N60A-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.4 A

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

14 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

36 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

2.38 mm

Lunghezza:

6.73 mm

Serie:

SIHFR

Larghezza:

6.22 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

0.88 S

Tempo di caduta:

20 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

14 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

18 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9.8 ns

Unità di peso:

0.011993 oz

Tags

SIHFR1N, SIHFR1, SIHFR, SIHF, SIH