ZXMN2B01FTA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

2.4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

100 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

400 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

4.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

806 mW

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.02 mm

Lunghezza:

3.04 mm

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

ZXMN2B01

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

1.4 mm

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

6.1 S

Tempo di caduta:

10.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

3.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

17.8 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.6 ns

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

ZXMN2B0, ZXMN2B, ZXMN2, ZXMN, ZXM