DMHT6016LFJ-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

V-DFN5045-12

Numero di canali:

4 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

10.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

17 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

17 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.16 W

Configurazione:

Quad

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

4 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5.2 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

13 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.4 ns

Tags

DMHT, DMH