GC10MPS12-220

GC10MPS12-220
Mfr. #:
GC10MPS12-220
Produttore:
GeneSiC Semiconductor
Descrizione:
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 10A TO-220-2
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
GC10MPS12-220 Scheda dati
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DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Maggiori informazioni:
GC10MPS12-220 maggiori informazioni
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore:
Semiconduttore GeneSiC
Categoria di prodotto:
Diodi e raddrizzatori Schottky
RoHS:
Y
Prodotto:
Diodi Schottky al carburo di silicio
Stile di montaggio:
Foro passante
Pacchetto/custodia:
TO-220-2
Se - Corrente diretta:
54 A
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva:
1200 V
Vf - Tensione diretta:
1.5 V
Ifsm - Corrente diretta in avanti:
82 A
Configurazione:
Separare
Tecnologia:
SiC
Ir - Corrente inversa:
1 uA
Temperatura di esercizio minima:
- 55 C
Temperatura massima di esercizio:
+ 175 C
Confezione:
Tubo
Marca:
Semiconduttore GeneSiC
Pd - Dissipazione di potenza:
388 W
Tipologia di prodotto:
Diodi e raddrizzatori Schottky
Quantità confezione di fabbrica:
50
sottocategoria:
Diodi e raddrizzatori
Vr - Tensione inversa:
1200 V
Tags
GC10M, GC10, GC1
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1200V & 1700V SiC MPS Schottky Diodes
GeneSiC Semiconductor 1200V and 1700V SiC MPS Schottky Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A. Both the 1200V and 1700V Schottky Diodes offer the advantage of paralleling devices without a thermal runaway. Additional features include low reverse recovery current, low device capacitance, and low reverse leakage current. The SiC MPS Schottky Diodes are ideal for a wide range of applications including LED lighting, medical imaging systems, high voltage sensing, and electric vehicles.
Immagine Parte # Descrizione
UJ3D1210TS

Mfr.#: UJ3D1210TS

OMO.#: OMO-UJ3D1210TS

Schottky Diodes & Rectifiers 1200V/10A SiC SCHOTTKY DIODE G3
IXDN614SI

Mfr.#: IXDN614SI

OMO.#: OMO-IXDN614SI

Gate Drivers 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
STPSC10H12D

Mfr.#: STPSC10H12D

OMO.#: OMO-STPSC10H12D

Schottky Diodes & Rectifiers 1200V Power Schottky Silicon Carbide diode
MSC010SDA120K

Mfr.#: MSC010SDA120K

OMO.#: OMO-MSC010SDA120K

Schottky Diodes & Rectifiers 1200 V, 10 A SiC SBD
M20-1061000

Mfr.#: M20-1061000

OMO.#: OMO-M20-1061000

Headers & Wire Housings 10 PIN SIL HOUSING
0372-0-15-15-13-27-10-0

Mfr.#: 0372-0-15-15-13-27-10-0

OMO.#: OMO-0372-0-15-15-13-27-10-0-MILL-MAX

CONN PIN RCPT .048-.064 SOLDER
IXDN614SI

Mfr.#: IXDN614SI

OMO.#: OMO-IXDN614SI-IXYS-INTEGRATED-CIRCUITS-DIVIS

Gate Drivers 14-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET
MGJ2D122005SC

Mfr.#: MGJ2D122005SC

OMO.#: OMO-MGJ2D122005SC-MURATA-POWER-SOLUTIONS

Isolated DC/DC Converters 2W 12Vin 20/-5Vout 80/40mA SIP
STPSC10H12D

Mfr.#: STPSC10H12D

OMO.#: OMO-STPSC10H12D-STMICROELECTRONICS

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220AC
M20-1060300

Mfr.#: M20-1060300

OMO.#: OMO-M20-1060300-HARWIN

Headers & Wire Housings 3 PIN SIL HOUSING
Disponibilità
Azione:
45
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Quantità
Prezzo unitario
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1
11,15 USD
11,15 USD
10
10,03 USD
100,30 USD
50
9,13 USD
456,50 USD
100
8,25 USD
825,00 USD
250
7,58 USD
1 895,00 USD
500
6,91 USD
3 455,00 USD
1000
6,02 USD
6 020,00 USD
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