IRF7379PBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

5.8 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

75 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

16.7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

1.75 mm

Lunghezza:

4.9 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Tipo:

MOSFET di potenza

Larghezza:

3.9 mm

Marca:

Infineon / IR

Tempo di caduta:

7.7 ns, 18 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

21 ns, 17 ns

Quantità confezione di fabbrica:

95

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

22 ns, 25 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6.8 ns, 11 ns

Parte # Alias:

SP001555260

Unità di peso:

0.019048 oz

Tags

IRF7379, IRF737, IRF73, IRF7, IRF