FMMT415TD

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

100 V

Collettore-tensione di base VCBO:

260 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.5 V

Corrente massima del collettore CC:

0.5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

40 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

FMMT41

Guadagno di corrente CC hFE Max:

25 at 10 mA, 10 V

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

3 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.4 mm

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

0.5 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

25 at 10 mA, 10 V

Pd - Dissipazione di potenza:

330 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

FMMT415T, FMMT415, FMMT41, FMMT4, FMMT, FMM