2N6099

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Polarità del transistor:

NPN

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

60 V

Collettore-tensione di base VCBO:

70 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2.5 V

Corrente massima del collettore CC:

10 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

5 MHz

Serie:

2N6099

Confezione:

Massa

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

0.45 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

20 at 4 A

Pd - Dissipazione di potenza:

75 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

400

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2N6099 PBFREE

Unità di peso:

0.081130 oz

Tags

2N60, 2N6