2N6126

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Polarità del transistor:

PNP

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

80 V

Collettore-tensione di base VCBO:

80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.4 V

Corrente massima del collettore CC:

4 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

2.5 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2N6126

Confezione:

Massa

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

0.45 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

7 at 4 A, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

40 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

400

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2N6126 PBFREE

Unità di peso:

0.081130 oz

Tags

2N612, 2N61, 2N6