2N5087 TRA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

3 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.3 V

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

40 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2N5087A

Guadagno di corrente CC hFE Max:

800 at 100 uA, 5 V

Confezione:

Bobina

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

50 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

250 at 10 mA, 5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2N5087 PBFREE TRA

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2N5087T, 2N5087, 2N508, 2N50, 2N5