BCY59-VIII

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-18

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

45 V

Collettore-tensione di base VCBO:

45 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

0.7 V

Corrente massima del collettore CC:

200 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

150 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Confezione:

Massa

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

100 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

20 At 10 uA, 5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

340 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

BCY59-VIII PBFREE

Unità di peso:

0.011020 oz

Tags

BCY59-VIII, BCY59-V, BCY59, BCY5, BCY