IRFH4210TRPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PQFN-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

25 V

Id - Corrente di scarico continua:

45 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.1 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.6 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

74 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

3.6 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.83 mm

Lunghezza:

6 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

5 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

251 S

Tempo di caduta:

15 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

44 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

24 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

20 ns

Parte # Alias:

SP001572516

Unità di peso:

0.008995 oz

Tags

IRFH4210, IRFH421, IRFH4, IRFH, IRF