AUIRF7341QTR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

55 V

Id - Corrente di scarico continua:

5.1 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

65 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

29 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.4 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.75 mm

Lunghezza:

4.9 mm

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Larghezza:

3.9 mm

Marca:

Infineon / IR

Tempo di caduta:

12.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7.7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

31 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9.2 ns

Parte # Alias:

SP001515768

Unità di peso:

0.019048 oz

Tags

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