2N5629

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore centrale

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

T

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-3-2

Polarità del transistor:

NPN

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

100 V

Collettore-tensione di base VCBO:

100 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

2 V

Corrente massima del collettore CC:

16 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

1 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 60 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Serie:

2N5629

Confezione:

Tubo

Marca:

Semiconduttore centrale

Corrente continua del collettore:

0.45 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

4 at 16 A, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

200 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

20

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2N5629 TIN/LEAD

Unità di peso:

0.225789 oz

Tags

2N5629, 2N562, 2N56, 2N5