SSM6L36FE,LM

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

ES6-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

500 mA, 330 mA

Rds On - Resistenza Drain-Source:

460 mOhms, 950 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

350 mV, 1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V, 8 V

Qg - Carica cancello:

1.23 nC, 1.2 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

150 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.55 mm

Lunghezza:

1.6 mm

Serie:

SSM6L36

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Larghezza:

1.2 mm

Marca:

Toshiba

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

75 ns, 200 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

30 ns, 90 ns

Tags

SSM6L36F, SSM6L36, SSM6L3, SSM6L, SSM6, SSM