IHW30N100R

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1 kV

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.75 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

30 A

Pd - Dissipazione di potenza:

412 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

60 A

Altezza:

21 mm

Lunghezza:

15.8 mm

Larghezza:

5 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

240

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

IHW30N100RXK SP000212224

Unità di peso:

1.340411 oz

Tags

IHW30N100, IHW30N10, IHW30N1, IHW30N, IHW3, IHW